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东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前,仍有很多创新研发空间。法新社 在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上,可见全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图,一如预期,英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND,并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND
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