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- 发布日期：2024-06-16 07:02 点击次数：154
摘要
BVCEO> -150V
BVEBO> -5V
IC（续）= -600mA
PD = 1.2W
辅助部件号ZXTN5551Z
描述
采用小外形表面贴装封装的高压PNP晶体管。
特征
150V额定值
SOT89封装
参数符号限制单位
集电极电压VCBO -160 V.
集电极 - 发射极电压VCEO -150 V.
发射极电压VEBO -5 V.
连续集电极电流（a）IC-600 mA
脉冲集电极电流ICM -2 A
TA = 25°C时的功耗（a）PD 1.2 W
线性降额系数9.6 mW /°C
操作和储存温度范围Tj
Tstg -55至150°C
热阻
参数符号限制单位
连接到环境（a）RJA°C / W.
电气特性（Tamb = 25°C，除非另有说明）
参数符号最小值典型。最大。单位条件
收集器故障
电压
BVCBO -160 -270 V IC = -100A
集电极 - 发射极击穿
电压（基极开路）
电子元器件采购网 51); font-family: "microsoft yahei"， arial; font-size: 18px; white-space: normal;">BVCEO -150 -240 V IC = -1mA（*）
笔记：
在脉冲条件下测量。脉冲宽度300s;工作周期2％。
发射极击穿
电压
BVEBO -5 -8.1 V IE = -10A
集电极截止电流ICBO <-1 -50 nA VCB = -120V
-50 A VCB = -120V，Tamb = 100°C
集电极 - 发射极饱和度
电压
VCE（sat）-50 -200 mV IC = -10mA，IB = -1mA（*）
-70 -500 mV IC = -50mA，IB = -5mA（*）
基极 - 发射极饱和度
电压
VBE（sat）-700 -1000 mV IC = -10mA，IB = -1mA（*）
-750 -1000 mV IC = -50mA，IB = -5mA（*）
静态正向电流
转移比率
hFE 50 135 IC = -1mA，VCE = -5V（*）
60 135 240 IC = -10mA，VCE = -5V（*）
50 130 IC = -50mA，VCE = -5V（*）
转换频率fT 100 MHz IC = -10mA，VCE = -10V
f = 100MHz
输出电容COBO 6 pF VCB = -10V，f = 1MHz（*）
延迟时间t（d）386 ns VCC = -10V。 IC = -100mA，
IB1 = IB2 = -10mA上升时间t（r）202ns
存储时间t（s）1720 ns
下降时间t（f）275 ns