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一般来说，电阻的失效率相对性于别的元器件而言，是较为大低的，因此人们一般评定电阻的使用寿命较为少。可是在高压高溫的情况下会失效率升高，因此一些情景，人们還是必须细心评定电阻的使用寿命。 对电阻使用寿命危害的要素： （1）溫度,溫度过高能够迅速使其损坏。 （2）自然环境的ph酸碱度,立即浸蚀电阻造成其毁坏。 （3）外力作用,超出一定的力的程度,电阻马上会破裂。 因此要使电阻使用寿命增加,热管散热好些,避免损坏,自然环境要干躁,无空气污染物,防止外力。电阻值大的电阻，使用寿命相对性会生。MΩ级的电

关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体能够通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确认，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。浪涌电流显著变大时，有或许会引起误动作和体系问题。并且，在超越最大额定电流时，有导致损坏的风险。通过与MOSFET Q1的栅极、

FDC6331L是便携式电子设备中紧凑型电源管理的集成负载开关，需要2.5至8V输入和2.8A输出电流。这个负载开关集成了一个小的N通道功率MOSFET（Q1），它驱动一个大的P通道功率MOSFET（Q2）。本产品用途广泛，适用于多种不同的应用场合。 控制MOSFET（Q1）包括用于静电放电坚固性的齐纳保护（6KV人体模型） 高性能沟槽技术，适用于极低的RDS（开）。 数据列表： 标准包装 3,000 包装 准卷带 零件状态 在售 类别 集成电路（IC） 产品族 PMIC - 配电开关，负载驱

在电子设备中，石英晶振是一种非常重要的元件，它能够提供稳定的频率基准。TXC石英晶振作为市场上的主流产品，其负载电容的选择对于其性能和稳定性有着至关重要的影响。本文将介绍负载电容的概念，并阐述在选择TXC石英晶振负载电容时需要注意的事项。 一、负载电容的基本概念 负载电容是指石英晶振与电路中其它元件构成的电容，它决定了石英晶振的工作状态和频率稳定性。在选择负载电容时，需要考虑石英晶振的品质因数（Q值）和频率稳定性要求。一般来说，负载电容越大，石英晶振的Q值和频率稳定性就会越差。因此，需要根据具

随着电子技术的快速发展，Torex LDO（低压差线性稳压器）已经成为了广泛应用的电源管理技术之一。其中，负载调整率和线性调整率是衡量Torex LDO性能的重要指标。本文将围绕这两个指标，深入探讨Torex LDO的性能特点和应用场景。 首先，我们来了解一下负载调整率。负载调整率是指稳压器在负载变化时的输出电压变化率。在实际应用中，由于设备功耗的变化，负载也会随之改变。如果稳压器的负载调整率不够高，就会导致输出电压的波动，进而影响系统的稳定性。Torex LDO的负载调整率通常较高，能够适应

芯片是现代电子设备的核心组成部分，它的性能和可靠性对整个系统的运行有着至关重要的影响。而芯片的最大负载能力是衡量芯片性能的一个重要指标，它是指芯片在保证正常工作的前提下能够承受的最大输入信号强度和频率。 一、芯片的组成和工作原理 芯片主要由集成电路、电阻、电容、电感等电子元件组成，通过复杂的电路连接形成各种功能。芯片通过接收外部信号并对其进行处理、转换和输出，实现对各种电子设备的控制和操作。 二、芯片的最大负载能力的影响因素 1. 信号强度：芯片的输入信号超过一定强度，会对芯片的正常工作产生影

2024年1月18日，是德科技（Keysight Technologies,Inc.）与英特尔携手完成负载均衡产品单节点2100万连接新建性能测试。英特尔提供软硬件结合优化的四层负载均衡方案HDSLB（高密度可扩展负载均衡器），单节点具有极高的并发连接密度、转发和TCP连接新建速率，性能可随CPU核数量增加线性扩展。 无论是如火如荼的AI深度学习大模型还是方兴未艾的VRAR及越来越丰富的IOT终端设备，亦或是已经非常成熟的多媒体直播、短视频等这些改变人们生活方式的互联网应用，各种应用的数据流通

经常遇到有人把晶振的负载电容与外接电容混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要特别指出的是：若你这样想，就大错特错了。 无源晶振原理 下面就为您进行分析与区分： 负载电容指的是晶振的一个内部重要电气参数。 一般情况下，对功耗不太敏感的电子设备PCBA上，常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。 那么，诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子产品，PCBA上常采用的为负载电容较小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。 晶振的负载电容在生产环节已