SK海力士声明未出现新冠肺炎病例 且没有下调DRAM和NAND产能的计划
2024-06-28最近几周由于三星与LG不少DRAM工厂处于停工或者半停工状态，极大影响了市场的供需状态。相比2个月前，内存的价格几乎上涨了6成，SSD的价格也同样水涨船高。不过目前韩国另外一家半导体工厂SK海力士并未打算下调产能。 SK海力士曾发表声明表示，位于韩国京畿道利川工厂的一名新员工曾与大邱市肺炎确诊病例有密切接触。但该名员工核酸检查结果为“阴性”，为了安全起见已经被隔离起来。目前位于中国和韩国的工厂均未出现新冠肺炎病例，对工厂的运营也未产生任何影响，因此，未来也没有下调DRAM和NAND产能的计划。
收购杜邦晶圆业务，SK集团进军SiC材料市场
2024-06-28去年9月，韩国SK集团旗下的SK Siltron宣布，决定投资4．5亿美元收购美国化工企业杜邦的SiC晶圆部门。如今，该项收购案在上月29日正式落下帷幕。 SK集团对硅晶圆市场势在必得 早在2017年前，SK Siltron还叫做LG Siltron，原本是LG集团旗下的半导体公司，专门负责半导体芯片基础材料硅晶片的生产制造。 在2017年初，SK集团以5．5亿美元取得了51％ LG Siltron的股份LG Siltron 51％的股份，在被收购前，LG Siltron在全球12寸硅晶圆市场
SK海力士H5TC4G63AFR-11C DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-28随着科技的飞速发展，DDR储存芯片在各个领域的应用越来越广泛。SK海力士的H5TC4G63AFR-11C DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片，在市场上备受青睐。本文将详细介绍SK海力士H5TC4G63AFR-11C DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 SK海力士H5TC4G63AFR-11C DDR储存芯片采用了先进的DDR技术，具有高速、低功耗、高可靠性的特点。该芯片采用了双通道接口，支持高达64GB/s的带宽，能够满足高性能计算、游戏、视频编辑等应用的需求。此外，该芯片还采
SK海力士H5TC4G63AFR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-28SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5TC4G63AFR DDR储存芯片是一款高性能、可靠的内存芯片，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍该芯片的技术特点、方案应用以及优势。 一、技术特点 H5TC4G63AFR是一款DDR3类型的内存芯片，其工作频率为2133MHz，数据传输速率高达1.6Gbps。该芯片采用8颗封装的形式，每颗芯片容量为4GB。此外，该芯片还具有以下特点： 1. 高速传输：该芯片采用DDR3高速传输技术，能够快速地传输数据，提高系统的运行速度。 2. 稳定性高：该
SK海力士H5TC2G83GFR-RDI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-27随着科技的飞速发展，储存芯片在各个领域的应用越来越广泛。SK海力士公司推出的H5TC2G83GFR-RDI DDR储存芯片，以其出色的性能和可靠性，赢得了广泛的市场认可。本文将对这款芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 1. 高速读写：H5TC2G83GFR-RDI DDR芯片采用高速DDR接口，支持双通道数据传输，大大提高了数据传输速度，满足现代电子设备的快速读写需求。 2. 高密度：该芯片采用先进的存储技术，具有高存储密度，能够满足大规模数据存储的需求。 3. 耐久性强：该芯片
SK海力士H5TC2G83EFR-PBA DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-27随着科技的飞速发展，DDR储存芯片在各类电子产品中的应用越来越广泛。SK海力士H5TC2G83EFR-PBA DDR储存芯片作为一款高性能的DDR芯片，凭借其出色的性能和稳定性，在市场上得到了广泛的应用。本文将对SK海力士H5TC2G83EFR-PBA DDR芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 SK海力士H5TC2G83EFR-PBA DDR芯片采用了先进的内存技术，具有高速、低功耗、高可靠性的特点。该芯片支持双通道数据传输，工作频率高达2400MHz，能够提供更高的数据传输速率
SK海力士H5TC2G63GFR-RDAR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-26SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5TC2G63GFR-RDAR DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的内存芯片，适用于各种高性能计算机、服务器、移动设备和物联网设备。本文将介绍SK海力士H5TC2G63GFR-RDAR DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高速度：H5TC2G63GFR-RDAR DDR芯片采用最新的DDR5技术，数据传输速度高达6400MT/s，是DDR4芯片的2倍以上，能够满足高性能计算机和服务器对高速数据传输的需求。 2. 高可靠性：该
SK海力士H5TC2G63GFR-PBKR DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-26SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5TC2G63GFR-PBKR DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的内存芯片，适用于各种需要大量数据存储的应用领域。本文将介绍H5TC2G63GFR-PBKR DDR储存芯片的技术特点、方案应用以及优势。 一、技术特点 H5TC2G63GFR-PBKR DDR储存芯片采用DDR3内存技术，支持双通道数据传输，工作频率为2400MT/s。该芯片采用8层PCB板材，具有高稳定性、低电磁干扰等优点。此外，该芯片还采用了先进的内存制造技术，如高精度制造、
SK海力士H5TC2G63GFR-PBK DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-25随着科技的飞速发展，数据存储的重要性日益凸显。SK海力士H5TC2G63GFR-PBK DDR储存芯片，作为一种高速、高容量的内存芯片，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将对这款芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 SK海力士H5TC2G63GFR-PBK DDR储存芯片采用了先进的DDR技术，具备高速读写速度、低功耗、耐高温等特点。该芯片的存储容量高达2GB，可满足大多数应用场景的需求。此外，该芯片还采用了先进的封装技术，提高了芯片的可靠性和稳定性。 二、方案应用 1.
SK海力士H5TC2G63GFR-PBA DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-06-25SK海力士公司是一家全球知名的半导体公司，其H5TC2G63GFR-PBA DDR储存芯片是一款广泛应用于各类电子产品中的关键部件。本文将详细介绍这款芯片的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解其性能和应用价值。 一、技术特点 H5TC2G63GFR-PBA是一款高速DDR储存芯片，具有以下技术特点： 1. 高速度：该芯片支持高达2GB/s的读取速度，能够大幅度提升电子设备的性能。 2. 高容量：该芯片采用先进的储存技术，具有大容量存储能力，能够满足用户对大容量数据存储的需求。 3. 低功耗