标题：Infineon(IR) IGW50N60TPXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGW50N60TPXKSA1是一种高效且可靠的功率半导体器件，采用TRENCH/FS 600V技术，提供高达80A的电流容量。这种技术使我们能以更小的封装实现更高的性能，在电力转换和电子设备中发挥了关键作用。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型半导体器件，兼具了晶体管和场效应管的特性。它具有开关速度快、热稳定性高、体积小等优点，因此在电力电子、通信、汽车等领域广泛
标题：IXYS艾赛斯IXGH32N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH32N120A3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 75A 300W TO247封装功率半导体器件。该器件采用了IXYS艾赛斯自主研发的先进技术，具有高耐压、大电流、高效率等特点，广泛应用于各种高功率电源和电机驱动系统。 二、产品特点 1. 高耐压：IXGH32N120A3的最大耐压达到了1200V，能够承受较大的电压波动，保证系统的稳定运行。 2. 大电流：该器件的最大电
标题：Infineon(IR) IHW30N65R5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IHW30N65R5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT，采用TRENCH 650V技术，具有60A的额定电流。这款IGBT在各种应用中表现出色，尤其在电力转换和控制系统中扮演着重要的角色。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型电力电子器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点。它是由BJT和FET的组合体，可以作为电压驱动的开关，具有
功率扩展：TRENCHSTOP IGBT7 Easy产品系列推出新的电流额定值模块
2024-06-19英飞凌科技股份公司为其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的电流额定值模块。这使得Easy 1B和2B产品系列更趋完备，现在可通过结合最新的芯片技术，以PIM拓扑实现高达11 kW的功率解决方案，或以六单元拓扑实现高达22 kW的功率解决方案。客户可以这样选择：要么用IGBT7技术替换IGBT4来提高使用Easy 2B模块的系统功率，要么在特定情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4，减小获得相同功率所需的占板面积。与之前推出的TRENCHSTOP
采样电阻的基本功率有哪些?
2024-06-19采样电阻又叫合金电阻，抽样电阻的关键功效是开展电流量采样，因而必须非常高的可靠性与低阻值高功率的特点，因而又被称作取样电阻。 采样电阻的主要特点有以下几个方面： 1、高功率，由于是合金材料，因此功率在同容积，同阻值的状况下，功率都是比一般低阻高于一倍，如：2512一般低阻是1W的功率，合金电阻的功率便是2W,3W。 2、低阻值，最少能够保证0R,0.0001R等。 3、高可靠性，合金采样电阻的温度系数一般是在75ppm及50ppm之内，一般低阻的温度系数一般在200ppm及200ppm之上。
标题：IXYS艾赛斯IXYH60N90C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯是全球知名的功率半导体解决方案供应商，其IXYH60N90C3功率半导体IGBT便是其杰出产品之一。这款IGBT具有900V、140A的强大规格，适用于各种高功率电子设备，如UPS（不间断电源）、风力发电、太阳能发电、焊接设备等。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH60N90C3的特性。这款IGBT采用了先进的第七代技术，具有高耐压、大电流和大功率的特点。其工作频率高，损耗低，有助于提高系统的效
标题：Infineon(IR) IKW30N65WR5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW30N65WR5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子装置，采用TRENCH 650V技术，具有60A的额定电流。这种IGBT在各种工业应用和电子设备中发挥着关键作用，特别是在需要高效率和低热量的场合。 IKW30N65WR5XKSA1的特点在于其高开关速度和低损耗，使其在保持高效率的同时，也降低了系统的整体温度。这种特性使得它在许多需要频繁开关的设
标题：IXYS艾赛斯IXYN50N170CV1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYN50N170CV1是一款功率半导体IGBT，它是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备和系统中，如逆变器、变频器、电机驱动等。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXYN50N170CV1的IGBT具有以下技术特点： 1. 1700V的电压耐压和120A的电流容量，使其在高压和大电流应用中表现出色。 2. 采用了SOT227B的小型封装，使得其在一些紧凑型设备中具有更好的适用性。
标题：Infineon(IR) IHW30N65R6XKSA1功率半导体在家庭电器中的技术和方案应用介绍 随着科技的不断进步，电子设备在我们的日常生活中变得越来越重要。功率半导体作为这些设备的关键组成部分，起着至关重要的作用。Infineon(IR)的IHW30N65R6XKSA1功率半导体，以其出色的性能和卓越的耐用性，正在改变家庭电器市场。 IHW30N65R6XKSA1是一款高性能的功率半导体，采用Infineon(IR)独特的IHW技术制造而成。这款功率器件具有出色的热性能和电性能，能
NPN硅平面中等功率，高增益晶体管
2024-06-17产品概述 Digi-Key零件号ZTX618-ND 可用数量3,366 生产厂家Diodes Incorporated 制造商零件编号ZTX618 描述TRANS NPN20V3.5A E-LINE 详细说明双极（BJT）晶体管NPN 20V 3.5A 140MHz 1W通孔E-Line（兼容TO-92） 文件和媒体 数据表ZTX618 环境信息RoHS认证 PCN组装/原产地电镀网站地址添加24 / Feb / 2017 Wafer Source 21/ Apr / 2017 Mult De