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- 发布日期：2024-01-10 16:39 点击次数：150
BFR 182W H6327
图像仅供参考
请参阅产品规格
编号：
726-BFR182WH6327
制造商编号：
BFR 182W H6327
制造商：
Infineon Technologies
Infineon Technologies
客户编号:
说明：
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
数据表:
BFR 182W H6327 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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库存量: 124,908
库存：
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× 限制装运
生产周期：
4 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1 倍数： 1
输入数量：
购买
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥2.9267 ¥2.93 10 ¥1.8306 ¥18.31 100 ¥0.80569 ¥80.57 1,000 ¥0.61811 ¥618.11 整卷卷轴（请按3000的倍数订购） 3,000 ¥0.48816 ¥1,464.48 9,000 ¥0.43166 ¥3,884.94 24,000 ¥0.4068 ¥9,763.20 45,000 ¥0.38194 ¥17,187.30 99,000 ¥0.35821 ¥35,462.79
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。
剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按3000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
特色产品
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 射频(RF)双极晶体管 RoHS: 详细信息 系列: BFR182 晶体管类型: Bipolar 技术: Si 晶体管极性: NPN 工作频率: 8 GHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 70 集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V 集电极连续电流: 35 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 配置: Single 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-323 资格: AEC-Q101 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: Infineon Technologies Pd-功率耗散: 250 mW 产品类型: RF Bipolar Transistors 工厂包装数量: 工厂包装数量: 3000 子类别: Transistors 类型: RF Bipolar Small Signal 零件号别名: SP000750420 BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 单位重量: 60 mg
找到的产品:
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工厂包装数量 ×
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以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。
在大部分情况下，非常乐意拆分“工厂包装数量”。 （请参见最低订货量和倍数以确认订购要求）
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产品合规性
CNHTS: 8541210000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99
更多信息
英飞凌射频晶体管
英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。
高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。
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