摘要

BVCEO> -150V

BVEBO> -5V

IC（续）= -600mA

PD = 1.2W

辅助部件号ZXTN5551Z

描述

采用小外形表面贴装封装的高压PNP晶体管。

特征

150V额定值

SOT89封装

参数符号限制单位

集电极电压VCBO -160 V.

集电极 - 发射极电压VCEO -150 V.

发射极电压VEBO -5 V.

连续集电极电流（a）IC-600 mA

脉冲集电极电流ICM -2 A

TA = 25°C时的功耗（a）PD 1.2 W

线性降额系数9.6 mW /°C

操作和储存温度范围Tj

Tstg -55至150°C

热阻

参数符号限制单位

连接到环境（a）RJA°C / W.

电气特性（Tamb = 25°C，除非另有说明）

参数符号最小值典型。最大。单位条件

收集器故障

电压

BVCBO -160 -270 V IC = -100A

集电极 - 发射极击穿

电压（基极开路）

BVCEO -150 -240 V IC = -1mA（*）

笔记：

在脉冲条件下测量。脉冲宽度300s;工作周期2％。

发射极击穿

电压

BVEBO -5 -8.1 V IE = -10A

集电极截止电流ICBO <-1 -50 nA VCB = -120V

-50 A VCB = -120V，Tamb = 100°C

集电极 - 发射极饱和度

电压

VCE（sat）-50 -200 mV IC = -10mA，IB = -1mA（*）

-70 -500 mV IC = -50mA，IB = -5mA（*）

基极 - 发射极饱和度

电压

VBE（sat）-700 -1000 mV IC = -10mA，IB = -1mA（*）

-750 -1000 mV IC = -50mA，IB = -5mA（*）

静态正向电流

转移比率

hFE 50 135 IC = -1mA， 电子元器件采购网 VCE = -5V（*）

60 135 240 IC = -10mA，VCE = -5V（*）

50 130 IC = -50mA，VCE = -5V（*）

转换频率fT 100 MHz IC = -10mA，VCE = -10V

f = 100MHz

输出电容COBO 6 pF VCB = -10V，f = 1MHz（*）

延迟时间t（d）386 ns VCC = -10V。 IC = -100mA，

IB1 = IB2 = -10mA上升时间t（r）202ns

存储时间t（s）1720 ns

下降时间t（f）275 ns

• 半导体
• 分立
• 晶体管
• bjt
• 单分立