绝对最大额定值。

参数符号值单位

漏源电压VDS -240 V.

Tamb时的连续漏极电流= 25°C ID -200 mA

脉冲漏极电流IDM -1 A.

栅源电压VGS±40 V.

Tamb = 25°C时的功耗Ptot 750 mW

工作和存储温度范围Tj：Tstg -55至+ 150°C

电气特性（除非另有说明，在Tamb = 25°C时）。

PARAMETER SYMBOL MIN。 TYP MAX。单位条件。

排水源故障

电压

BVDSS -240 V ID = -1mA，VGS = 0V

门限阈值

电压

VGS（th）-0.7 -1.4 -2.0 V ID = -1mA，VDS = VGS

栅极 - 体泄漏IGSS 100 nA VGS =±40V，VDS = 0V

零栅极电压漏极

当前

IDSS -10

-100

VDS = -240 V，VGS = 0

VDS = -190V，VGS = 0V，T = 125℃

导通漏极电流ID（on）-0.75 -1.0 A VDS = -10 V，VGS = -10V

静态排水源

国家抵抗

RDS（上）7.1

8.8 9 11

VGS = -10V，ID = -200mA

VGS = -3.5V，ID = -100mA

向前

跨导（1）（2）

gfs 125 mS VDS = -10V，ID = -0.2A

输入电容（2）Ciss 100 200 pF

VDS = -25V，VGS = 0V，f = 1MHz共源极输出电容（2）Coss 18 25 pF

反向转移

电容（2）

Crss 5 15 pF

开启延迟时间（2）（3）td（开）8 15 ns

VDD≈-50V，ID = -0.25A，

VGEN = -10V

上升时间（2）（3）tr 8 15 ns

关闭延迟时间（2）（3）td（关闭）26 40 ns

下降时间（2）（3）tf 20 30 ns

（1）在脉冲条件下测量。宽度=为300μs。占空比≤2％（2）样品测试。

（3）在脉冲发生器上用50Ω源阻抗和<5ns上升时间测量的开关时间

文件和媒体

数据 ZVP4424A

PCN组装/原产地电镀网站添加24 / Feb / 2017

在线目录 P沟道MOSFET（金属氧化物）

分类分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

部分状态活性

FET类型 P沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏极到源极电压（Vdss） 240V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C 200mA（Ta）

驱动电压（Max Rds On，Min Rds On） 3.5V，10V

Rds On（Max）@ Id， 电子元器件采购网 Vgs 9欧姆@ 200mA，10V

Vgs（th）（Max）@Id 2V@ 1mA

Vgs（最大）±40V

输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds 200pF@ 25V

FET功能 -

功耗（最大值） 750mW（Ta）

工作温度 -55°C~150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商设备包 TO-92-3

包/箱 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）

特征

BVDSS> 240V

RDS（ON）≤6Ω@ VGS = 2.5V

ID= 260mA最大连续漏极电流

快速切换速度

低门槛

无铅表面处理; 符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

机械数据

案例：E-Line（兼容TO92）

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。UL

可燃性等级94V-0

端子：表面处理 - 磨砂镀锡引线，可按MILSTD-202焊接，方法208

重量：0.159克（近似值）

电气特性（@TA = + 25°C，除非另有说明。）

特征符号最小值典型最大单位测试条件

关闭特征

漏源击穿电压BVDSS 240 - VID = 1mA，VGS = 0V

零栅极电压漏极电流IDSS10

100μA

VDS = 240V，VGS = 0V

VDS = 190V，VGS = 0V，T = + 125℃

栅源泄漏IGSS100nA VGS =±40V，VDS = 0V

关于特征

门限阈值电压VGS（TH）0.8 1.3 1.8 V ID = 1mA，VDS = VGS

静态漏极 - 源极导通电阻（注7）RDS（ON）

45.5Ω

VGS = 10V，ID = 500mA

4.3 VGS = 2.5V，ID = 500mA

正向跨导（注7和9）gFS 0.40.75SVDS = 10V，ID = 0.5A

动态特性（注9）

输入电容Ciss110200

pF VDS = 25V，VGS = 0V

f = 1.0MHz输出电容Coss1525

反向传输电容Crss3.5 15

开机延迟时间（注8）tD（ON）2.55

NS

VDD = 50V，VGEN = 10V

ID = 0.25A

开启上升时间（注8）tR58

关闭延迟时间（注8）tD（OFF）4060

关闭下降时间（注8）tF1625

封装外形尺寸

• 垂直
• 240V
• N-CHANNEL
• 增强型
• DMOSFET