3月26日，科技界传出震撼消息，据业内媒体报道，英伟达公司即将在今年9月展开大规模采购行动，目标直指三星电子一家供应12层HBM3E内存。这一决策不仅彰显了英伟达在高性能计算领域的雄心壮志，也预示着高带宽存储器（HBM）市场即将迎来新的技术变革。 

在不久前举办的GTC 2024大会上，英伟达创始人兼CEO黄仁勋亲自为三星电子的12层HBM3E产品签下了“黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）”的殊荣，这无疑是对三星技术实力的最高认可。与此同时，业界另一大内存制造商SK海力士却因部分工程问题，未能及时推出12层HBM3E产品，转而计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。这一对比，更加凸显了三星在HBM技术领域的领先地位。

早在今年2月，三星电子便官方宣布成功开发出业界首款36GB 12层堆叠（12H）的HBM3E DRAM内存。这款新产品不仅提供了高达1280GB/s的带宽，更拥有业界最da的36GB容量。与8层堆叠的HBM3 8H相比，其在带宽和容量上实现了超过50%的提升，为高性能计算和人工智能应用带来了前所未有的性能飞跃。

据了解，三星为了实现12层堆叠同时保持产品高度一致，采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术。这项技术的应用不仅满足了当前HBM封装的要求，还有效缓解了薄片带来的芯片弯曲问题， 电子元器件采购网 为更高的堆叠层数带来了更多优势。同时，通过降低非导电薄膜材料的厚度并最小化芯片之间的间隙，三星成功消除了层与层之间的空隙，使得HBM3E 12H的垂直密度比HBM3 8H提高了20%以上。

值得一提的是，随着人工智能应用的不断扩展和深化，HBM3E 12H有望成为未来系统的关键存储解决方案。其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍，为AI应用提供了强大的数据吞吐和处理能力。

在GTC 2024大会上，英伟达还正式发布了B200和GB200系列芯片。其中，B200拥有惊人的2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型。而其强大的AI性能，离不开高性能存储器的支持。可以预见，随着英伟达大量采购三星12层HBM3E内存，其B200和GB200系列芯片的性能将得到进一步提升，为人工智能和高性能计算领域带来更多的可能性。

此次英伟达与三星的合作，无疑将推动整个半导体行业的技术进步和产业升级。未来，我们期待看到更多高性能、高带宽的存储器产品问世，为人工智能、云计算、大数据等领域的发展注入新的活力。

• 三星
• 英伟
• 采购
• 12层
• HBM3E