晶体管（bjt） - 单分立半导体产品600mA 150V 1.2W PNP
2024-06-16摘要 BVCEO -150V BVEBO -5V IC（续）= -600mA PD = 1.2W 辅助部件号ZXTN5551Z 描述 采用小外形表面贴装封装的高压PNP晶体管。 特征 150V额定值 SOT89封装 参数符号限制单位 集电极电压VCBO -160 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -150 V. 发射极电压VEBO -5 V. 连续集电极电流（a）IC-600 mA 脉冲集电极电流ICM -2 A TA = 25°C时的功耗（a）PD 1.2 W 线性降额系数9.6 mW