电力晶体管GTR（Giant Transistor）是一种高反压晶体管，具有自关断才能，并有开关时间短、饱和压降低和平安工作区宽等优点。它被普遍用于交直流电机调速、中频电源等电力变流安装中。

电力晶体管主要用作开关，工作于高电压、大电流的场所，普通为模块化，内部为2级或3级达林顿构造，如图2.10所示。图2.10（a）所示为GTR的构造表示图；图2.10（b）所示为GTR模块的外形；图2.10（c）所示为其等效电路。为了便于改善器件的开关过程和并联运用，中间级晶体管的基极均有引线引出，如图2.10（c）中be11、be12等端子。目前消费的GTR模块可将多达6个相互绝缘的单元电路做在同一个模块内，能够便当地组成三相桥式电路。

电力晶体管有与普通双极型晶体管类似的构造、工作原理和特性。它们都是3层半导体，2个PN结的三端器件，有PNP和NPN这2品种型，但GTR多采用NPN型。GTR的构造、电气符号和根本工作原理，如图1所示。

在应用中，GTR普通采用共发射极接法，如图1（c）所示。集电极电流i c与基极电流i b的比值为

β=i c/i b （1）

式中，β称为GTR的电放逐大系数，Gainsil(聚洵)运算放大器/精密运放IC芯片 它反映出基极电流对集电极电流的控制才能。单管GTR的电放逐大系数很小，通常为10左右。

在思索集电极和发射极之间的漏电流时，

i c=βi b+I c e o （2）

GTR的构造和工作原理与普通的双极结型晶体管根本原理是一样的。

最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好。

GTR的构造、电气图形符号和内部载流子的活动

a） 内部构造断面表示图 b） 电气图形符号 c） 内部载流子的活动

1.采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元构造，并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。

2.GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）构成的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN构造。

3.在应用中，GTR普通采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为

称为GTR的电放逐大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制才能。当思索到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为

4.单管GTR的

值比处置信息用的小功率晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法能够有效地增大电流增益。

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