芯片资讯
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2024-10
是他发现最糟糕芯片缺陷 让全球多家科技巨头手忙脚乱
据路透社北京时间1月5日报道，在黑掉自己的计算机，并发现存在于过去20年英特尔生产的大多数芯片中一处缺陷的那个晚上，丹尼尔·格鲁斯（Daniel Gruss）几乎彻夜未眠。 格鲁斯今年31岁，是一名信息安全研究人员，在奥地利格拉茨技术大学进行博士后研究，他刚刚攻破了其计算机CPU（中央处理器）的“内室”，并从中“窃取”了机密信息。 在此之前，格鲁斯及其同事莫里茨·利普（Moritz Lipp）、迈克尔·施瓦兹（Michael Schwarz）就认为，对处理器“内核”内存——不让用户访问——进行
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2024-10
关于MP020-5开关电源原理
大家常见的AC-DC电源变压器中，因为初级线圈的漏感而再次级线圈上造成的一瞬间反向脉冲是十分比较严重的。如下图，它是用MPS企业的MP020-5集成ic构建的AC-DC电源电路，这儿测的是次级线圈一部分肖特基二极管两边的波型。我们知道，肖特基二极管的较大 的功效便是避免变电器初级线圈的暂态反向脉冲根据次级线圈对后续电源电路导致冲击性，假如在集成ic起动以后，后续肖特基二极管由于没法承担反向冲击性脉冲而导致短路故障，那麼电源开关电源管理芯片会被一瞬间穿透。这儿我是用的变电器初中级次级线圈比率为1
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2024-10
台积电7nm制程再夺博通AI芯片大单
博通推出已获硅认证(silicon-proven)的7纳米IP核，将以特殊应用芯片(ASIC)抢攻当红的人工智能(AI)、5G及高宽带网络等市场。 博通为客户打造的7纳米ASIC去年底完成设计定案，博通也说明将把7纳米ASIC晶圆代工及CoWoS封装订单交由台积电负责。 台积电7nm制程领先同业，继业界传出苹果新一代A12应用处理器、AMD新一代Vega绘图芯片、高通新一代Snapdragon手机芯片等，均将采用台积电7nm制程投片外， 博通也确定将采用台积电7纳米制程打造ASIC平台，抢进需
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2024-10
索尼的复兴之路：从巨亏到历史最高利润
“贴近用户是唯一的方法，”五年半前接棒索尼掌舵人、临危受命任肩负扭转企业亏损重任的平井一夫日前接受英国卫报采访时这样说道。 时至今日，他已取得成功，索尼(NYSE:SNE)预计本财年将实现有史以来最大年度营业利润42亿英镑。 要知道，当平井一夫当年接管索尼时，这家公司正深陷亏损30亿英镑的泥沼之中。 平井一夫是如何令索尼王者归来，其间发生了怎么的故事，当前的索尼尚面临怎样的挑战？有关这些疑问，我们不妨从头说起。 01“最后一英寸”战略 平井一夫热情拥护日本“Kando（感动）”的概念，即通过索
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2024-10
芯片电阻缺口不输MLCC，Q2供需将更紧张
继MLCC大厂村田发出重磅通知，宣布部分MLCC产品减产为2017年的50%并且涨价，产品订单涨价即日(3月2日)生效。这一消息使得下游客户对芯片电阻备料情绪恐慌，引爆提前备货潮，各大芯片电阻厂订单涌入。 芯片电阻难敌材料价格上涨、汇率波动以及人工成本上扬等压力，今年初价格开始向上反映。在芯片电阻的制造成本上，日厂不如台厂有优势，因此都加速将产能转换至车用市场，加上其他厂商也约有5～7%将其产能转向车用，导致电阻供应链在没有新增产能之下，今年产能告急已可预期，预计第二季后的芯片电阻供需更为紧张
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08
2024-10
各式单片机的封装知识合集
面对浩瀚如海的各式单片机型号，曾经作为新手的我也是瑟瑟发抖的，随着经验的累积我也逐渐总结了一些规律，今天就分享给大家。 一、双列直插DIP 顾名思义，DIP（双列直插）就是两排引脚（双列）可以直接插到电路上使用（直插），一般在后面还会跟一个数字比如“DIP40”表示一共有 40 个引脚。DIP 的特点就是可以反复插拔使用（学习板上还会配上插座），不过相对其他封装制式其体积较大，一般用于实验、学习、手工焊接、需要反复插拔重复使用等场景。 二、贴片PLCC 与 TQFP PLCC 与 TQFP 两
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2024-10
三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻
据韩国当地媒体报道，3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。尽管备用的不间断电源可以应对20分钟左右的突发状况，但是在CVD（化学气相沉积）、扩散、蚀刻和离子注入等工艺中，60分钟的停电可能将影响60％的输入晶圆片（即等待加工的晶圆片）。一般情况下，超过20分钟的任意停电将导致一半以上的输入晶圆报废。由于平泽工厂此次停电事故，预计3月份全球NAND供应将暂时收紧，同时预计这次事故会降低全球NAND库存水平。 花旗银行分析，三星3月份11%的NAND产能预计将受到影响。目前
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2024-10
结型场效应晶体管工作原理
结型场效应晶体管工作原理 结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。 对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。这主要是由于长沟道E
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2024-10
从零开始带你认识电源内部元器件
电源不像处理器，可以看规格知性能。电源也不像显卡，由一颗关键的GPU来决定档次。一款好的电源除了满足功率需求以外，还必须考量稳定、节能、静音、安全等多方面的因素。在没有专业设备进行检测的情况下，我们只有了解一些电源的基本原理和元器件知识，才能做到对电源“一目了然”。 从外面看起来，电源的个头也就比一块“板砖”大一点，但它“肚子”里装的东西可着实不少。拆开外壳，我们能看到数以百计的、各式各样的电子元器件和复杂交错的线缆，不免让人眼晕。俗话说“擒贼先擒王”，在观察电源时，我们也应该着重留意以下几个
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2024-10
不再自行生产，台积电独揽瑞萨全球首款28纳米汽车MCU订单
日本微控制器厂商瑞萨电子（Renesas Electronics）为削减芯片生产设备的高昂成本，计划将车用微控制器（MCU）全由台积电代工，并专注于软件及半导体研发。 今日瑞萨发布了目前业界第一款使用28nm工艺的集成闪存MCU，并于即日起开始交付样片。为了打造下一代更高效、更可靠的环保汽车和自动驾驶汽车，这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心，成为业界第一款能达到9600MIPS指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内
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2024-10
二极管到底为何不能并联？
串联 在串联时，需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。 在静态时，由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，导致具有 漏电流的元件承受了 的电压，甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性，则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于 1200V 的元件串联时，一般来说才有必要外加一个并联电阻。 假设截止漏电流不随电压变化，同时忽略电阻的误差，则对于 n 个具有给定截止电压 VR 的二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的计算电阻的公式： 以上 Vm 是串联电路中电压的
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2024-10
联发科 获7纳米硅认证
联发科昨（10）日宣布，推出业界第一个通过7纳米 FinFET硅认证（Silicon-Proven）的56G PAM4 SerDes IP，扩大客制化芯片（ASIC）产品阵线，并全力进攻网通、高速运算等市场。 手机芯片供应链认为，客户积极追求产品差异化，对于ASIC的需求相当明显，联发科抢进ASIC领域，主攻重量级客户，将有利于出货量扩增，做大营收规模，提升营运绩效。 联发科表示，56G SerDes解决方案是基于数字讯号处理（DSP）技术，采用高速传输讯号PAM4，具备一流的性能、功耗及晶粒