芯片电阻缺口不输MLCC，Q2供需将更紧张

继MLCC大厂村田发出重磅通知，宣布部分MLCC产品减产为2017年的50%并且涨价，产品订单涨价即日(3月2日)生效。这一消息使得下游客户对芯片电阻备料情绪恐慌，引爆提前备货潮，各大芯片电阻厂订单涌入。 芯片电阻难敌材料价格上涨、汇率波动以及人工成本上扬等压力，今年初价格开始向上反映。在芯片电阻的制造成本上，日厂不如台厂有优势，因此都加速将产能转换至车用市场，加上其他厂商也约有5～7%将其产能转向车用，导致电阻供应链在没有新增产能之下，今年产能告急已可预期，预计第二季后的芯片电阻供需更为紧张

各式单片机的封装知识合集

面对浩瀚如海的各式单片机型号，曾经作为新手的我也是瑟瑟发抖的，随着经验的累积我也逐渐总结了一些规律，今天就分享给大家。 一、双列直插DIP 顾名思义，DIP（双列直插）就是两排引脚（双列）可以直接插到电路上使用（直插），一般在后面还会跟一个数字比如“DIP40”表示一共有 40 个引脚。DIP 的特点就是可以反复插拔使用（学习板上还会配上插座），不过相对其他封装制式其体积较大，一般用于实验、学习、手工焊接、需要反复插拔重复使用等场景。 二、贴片PLCC 与 TQFP PLCC 与 TQFP 两

三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻

据韩国当地媒体报道，3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。尽管备用的不间断电源可以应对20分钟左右的突发状况，但是在CVD（化学气相沉积）、扩散、蚀刻和离子注入等工艺中，60分钟的停电可能将影响60％的输入晶圆片（即等待加工的晶圆片）。一般情况下，超过20分钟的任意停电将导致一半以上的输入晶圆报废。由于平泽工厂此次停电事故，预计3月份全球NAND供应将暂时收紧，同时预计这次事故会降低全球NAND库存水平。 花旗银行分析，三星3月份11%的NAND产能预计将受到影响。目前

结型场效应晶体管工作原理

结型场效应晶体管工作原理 结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。 对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。这主要是由于长沟道E

从零开始带你认识电源内部元器件

电源不像处理器，可以看规格知性能。电源也不像显卡，由一颗关键的GPU来决定档次。一款好的电源除了满足功率需求以外，还必须考量稳定、节能、静音、安全等多方面的因素。在没有专业设备进行检测的情况下，我们只有了解一些电源的基本原理和元器件知识，才能做到对电源“一目了然”。 从外面看起来，电源的个头也就比一块“板砖”大一点，但它“肚子”里装的东西可着实不少。拆开外壳，我们能看到数以百计的、各式各样的电子元器件和复杂交错的线缆，不免让人眼晕。俗话说“擒贼先擒王”，在观察电源时，我们也应该着重留意以下几个

不再自行生产，台积电独揽瑞萨全球首款28纳米汽车MCU订单

日本微控制器厂商瑞萨电子（Renesas Electronics）为削减芯片生产设备的高昂成本，计划将车用微控制器（MCU）全由台积电代工，并专注于软件及半导体研发。 今日瑞萨发布了目前业界第一款使用28nm工艺的集成闪存MCU，并于即日起开始交付样片。为了打造下一代更高效、更可靠的环保汽车和自动驾驶汽车，这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心，成为业界第一款能达到9600MIPS指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内

二极管到底为何不能并联？

串联 在串联时，需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。 在静态时，由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，导致具有 漏电流的元件承受了 的电压，甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性，则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于 1200V 的元件串联时，一般来说才有必要外加一个并联电阻。 假设截止漏电流不随电压变化，同时忽略电阻的误差，则对于 n 个具有给定截止电压 VR 的二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的计算电阻的公式： 以上 Vm 是串联电路中电压的

联发科 获7纳米硅认证

联发科昨（10）日宣布，推出业界第一个通过7纳米 FinFET硅认证（Silicon-Proven）的56G PAM4 SerDes IP，扩大客制化芯片（ASIC）产品阵线，并全力进攻网通、高速运算等市场。 手机芯片供应链认为，客户积极追求产品差异化，对于ASIC的需求相当明显，联发科抢进ASIC领域，主攻重量级客户，将有利于出货量扩增，做大营收规模，提升营运绩效。 联发科表示，56G SerDes解决方案是基于数字讯号处理（DSP）技术，采用高速传输讯号PAM4，具备一流的性能、功耗及晶粒

电阻的失效模式与失效机理

失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。 失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。 1、电阻器的主要失效模式与失效机理为 1) 开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。 2) 阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。 3) 引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。 4) 短路：银的迁移，电晕放电。 2、失效模式占失效总比例表 (1)、线绕电阻 (2)、非线绕电阻 3、失效机理分析 电阻器失效机理是多方面

连接器有哪几种连接方式？

连接器是大家非常熟悉的电子器件之一，为增进大家对连接器的认识，本文将基于三点为大家介绍连接器的相关知识：1.连接器的4种连接方式介绍，2.IEC电源连接器优点介绍，3.如何检测连接器好坏。 一、连接器连接方式 1、螺纹连接方式 具有较大尺寸的接触件和在强烈振动环境中工作的连接器经常采用的一种连接形式。这种连接形式在完成连接后可装上防止松动的保险丝。该连接形式使用可靠，但连卸速度慢。 2、卡口连接方式 是一种可靠迅速的连接和分离形式。大多数卡121连接形式的连接器都具有正确的连接和锁定的直观显示

电容器为何会出现跳闸，怎样解决？

在一些工业应用中，往往会用到很多电容器组，会配置速断、过流、过压、失压等保护，但是还是会出现因电容器故障而导致跳闸的现象，这究竟是怎么回事呢，该如何解决？ 电容器组故障分析 电容器组采用常用的星型接线方式，三相共体外壳接于同一铁框架，框架接地。电容器内部结构为多个元件并联的四串结构，并设置内熔丝保护，检修人员与厂家人 员对损坏的电容器进行解剖，发现受损电容器的A、B相内熔丝均熔断了两根，外包封破裂，经过认真分析，认为一相熔丝熔断两根后，造成外包封损伤，在外包封 受伤的情况下，长期运行发展成对壳

10年老工程师总结PCB板布线绝招

PCB又被称为印刷电路板（PrintedCircuitBoard），它可以实现电子元器件间的线路连接和功能实现，也是电源电路设计中重要的组成部分。今天就将以本文来介绍PCB板布局布线的基本规则。 一、元件布局基本规则 1.按电路模块进行布局，实现同一功能的相关电路称为一个模块，电路模块中的元件应采用就近集中原则，同时数字电路和模拟电路分开; 2.定位孔、标准孔等非安装孔周围1.27mm内不得贴装元、器件，螺钉等安装孔周围3.5mm（对于M2.5）、4mm（对于M3）内不得贴装元器件; 3.卧装