功率电感在升压电路中的作用

用过DC/DC类升压芯片和降压芯片的朋友都清楚，芯片的外设电路中电感必不可少，电感的作用是什么？今天电子元器件采购平台以升压芯片为例和大家分享一下电感的作用。 功率电感在DC/DC的升压电路和降压电路中都是必不可少的，由于DC/DC类开关电源IC都是采用PWM控制的，电感在电路中起到充放电作用来实现IC的功能。升压电路和降压电路的原理类似，只是电感、功率开关以及二极管的位置不一样，下面介绍功率电感在升压电路中的作用。 1、电感的充电过程 电感是储能元器件，在升压电路中起着储能作用，具有充电和放

去耦原理以及具体如何防止电容的准则

对于已经知道了电容的具体特性和适用范围，以及去耦原理，那么就知道了去耦的具体方法了吗？不是的，下面我们电子商城官方网站将讲解一下，具体安装到电路板上之后的去耦原理以及具体如何防止电容的准则！ 实际贴片上的电容的特性 上一节我们已经讲到电容的具体特性，但是等我们装配到电路板上之后电容的特性会保持和他之前的具体参数一致吗？ 答案是否定的！ 当电容具体安装到电路板上之后，还会引出额外的寄生参数，从而引起具体的谐振频率的偏移。充分理解电容的自谐振频率与安装谐振频率非常重要。在计算具体参数时，我们需要参

台积电：尚无在大陆上市计划

19日，全球最大芯片制造商台湾积体电路制造股份有限公司（下称“台积电”）召开发布会公布今年第二季度公司运营情况。台积电CFO兼发言人何丽梅在会上表示，台积电目前没有在中国大陆上市的计划。 据澎湃新闻报道，今年第二季度，台积电合计营收额为2332.8亿元新台币，同比增长9.1%，环比降低6%；净利润为722.9亿元，同比增长9.1%，较上一季度减少19.5%。这一降幅主要受到智能手机与加密货币“矿机”芯片的市场降温影响。 在产品结构方面，根据台积电发布的数据显示，其生产的芯片中10纳米制程的出货

PCB设计中的3W原则

在PCB设计中，为了减少线间的干扰，经常听到3W原则、20H原则、五五规则等，具体介绍3W原则。3W原则实际上是为了减少串行障碍，使线路和线路之间保持3倍线路宽度的间隔，这就是所谓的3W规则。 你为什么选择3W？ 一般来说，如果能够保证两条线的间隔足够大的话，就能够消除串行障碍，但是在实际的设计中线的间隔足够大的话，就会出现线的间隔和串行障碍之间的平衡，如果线的中心间隔在3倍以上的线的宽度以上的话，大部分不会相互干扰，满足3W的原则的话信号之间的干扰会减少65~70%，满足10W的话信号之间的

三点式电容振荡电路的工作原理

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。参考很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。 另外一方面，很多爱好者都直接忽略了晶体旁边的这两个电容，他们认为按参考设计做就行了。但事实上，这是MCU的振荡电路，又称“三点式电容振荡电路”，如图1所示。 图1：MCU的三点式电容振荡电路 其中，Y1是晶体，相当于三点式里面的电感；C1和C2是电容，而5404和R1则实现了一个

联想揭晓AMD锐龙3 2300X/锐龙5 2500X具体规格

Ryzen 2000系列处理器虽然已经发布，但是却没有4核SKU。此前，Ryzen 5 2500X和Ryzen 3 2300X曾多次曝光，包括B450主板已经抢先推出。 据外媒报道，联想在ThinkCentre M725小型台式机的规格清单中明确列出了Ryzen 3 2300X和Ryzen 5 2500X两款处理器。 页面给出的规格方面，Ryzen 3 2300X基于12nm Zen+架构，4核4线程，基础主频3.5GHz，加速4.0GHz（Ryzen 3 1300X是3.7GHz），10MB

关于开关电源U6513的应用范围及介绍

开关电源设计本身是一项耗时耗力的工作，需要大量的设计变量进行权衡和迭代。下面电子元器件大型采购平台就介绍这款低成本、高性能、有助于工程师方便地设计开关电源的开关电源icU6513，可提供非常紧凑的输出电压调节（CV）和输出电流控制（CC）的原边反馈（PSR）控制器，是充电器应用的理想选择。 开关电源icU6513应用领域： 手机充电器 典型输出功率：10W 开关电源icU6513特点： l内置超高压功率BTJ l谷底开通、原边控制、系统效率高 l多模式原边控制方式 l优异的动态响应 l集成动态

大陆半导体业政策磁吸效应扩大

2018年大陆半导体业销售额仍可达2成以上的成长，主要是第4次硅含量提升强调的主要创新人工智能、汽车电子、工业、物联网、5G、高性能计算等，继续成为大陆半导体业绩成长的核心驱动力；更何况下半年iPhone新机型零组件供应商已经开始拉货，看好廉价版成为出货主力带动产业链公司营运表现优于上半年，况且大陆的国产机旗舰机型新机陆续上市，也同步拉抬大陆半导体产业链的公司业绩。 此外，在当前中美贸易战紧张形势下，半导体作为核心技术，后续资源配置力道继续加大，故2018年下半年可望进入大陆半导体产业政策密集

国际存储器厂NAND续演进

东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前，仍有很多创新研发空间。法新社 在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图，一如预期，英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND，并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND

晶圆厂产能维持高位，台厂下半年新旧产品齐发或带来强劲增长

2018年下半晶圆厂产能利用率依旧高档不坠，加上客户端仍关心交期及产能，并没有刻意压低价格动作，配合下半年不少新产品将开始导入量产，台系IC设计公司多看好第3季毛利率持续走强，带动2018年获利成长。 台系IC设计业者甫公布第2季财报，毛利率普遍明显上扬，显示终端芯片TLP181报价在上游晶圆代工产能利用率吃紧下，下游客户不敢恣意杀价，让芯片平均单价维持高档水準，不用依循每季调降3~5%的折价惯性，加上芯片厂内部芯片微缩、降低成本等奏效，让第2季毛利率反弹。 联发科执行长蔡力行先前表示，因为第

基于ADmC841单片机和LCM3202401芯片实现膜片钳放大器的设计

膜片钳是细胞膜离子通道电流检测的重要工具。1976年Neher和Sakmann发明了膜片钳技术。1980年以来此项技术已可用于很多细胞系的研究。目前，细胞膜离子通道的研究已经应用到了各种疾病的诊断治疗、药物作用、环境对细胞膜离子通道的影响以及经络研究等多个领域。因此，作为其测量工具的膜片钳技术也就得到了越来越多的重视。已有的产品基本上都是由前部的模拟电路完成电流信号的采集、转换和放大，在计算机上安装数据采集卡实现信号的采集，并在PC机安装专用的软件实现快慢电容和串联电阻补偿的调节以及采集到的电

晶圆切割液是什么 晶圆切割液是这么制作的

晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料，这种纯硅需要被做成硅晶棒，历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。 基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件，生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。 晶圆划片是整个芯片生产制造工艺流程中的一道不可或缺的工序。 晶圆划片全过程中，因为强机械设备力的作用，晶圆边缘非常容易发生微裂、崩边和应力集中点，晶圆表层也非常容易存有应力遍